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onsemi NTZS3151PT5G
| Artikelnummer: | NTZS3151PT5G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
onsemi NTZS3151PT5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTZS3151PT5G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SOT-563 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V Verlustleistung (max) 170mW (Ta) Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 458 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 860mA (Ta) Grundproduktnummer NTZS3151 NTZS3151PT5G Einzelheiten PDF [English] NTZS3151PT5G PDF - EN.pdf -
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